专利摘要显现，本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合办法及键合结构，晶圆级键合办法包含：供给硅衬底，在硅衬底上构成槽结构，且使用槽结构在硅衬底上成长Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料的异质外延层；使用异质外延层制造光电器材台面结构；在光电器材台面结构上构成榜首金属键合结构；供给硅晶圆，在硅晶圆的表面上构成与榜首金属键合结构对应的第二金属键合结构；将构成有光电器材台面结构的硅衬底与硅晶圆对位压合，榜首金属键合结构与第二金属键合结构对位键合。本发明的Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合办法及键合结构，其可以完成Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合，进步封装功率。
天眼查资料显现，姑苏镓港半导体有限公司，成立于2019年，坐落姑苏市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册本钱500万人民币，实缴本钱400万人民币。经过天眼查大数据分析，姑苏镓港半导体有限公司参加招投标项目19次，产业头绪方面有商标信息1条，专利信息23条，此外企业还具有行政许可9个。
本文源自：金融界
作者：情报员
金融界2025年3月29日音讯，国家知识产权局信息显现，姑苏镓港半导体有限公司请求一项名为“Ⅲ-Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合办法及键合结构”的专利，公开号CN 119694908 A，请求日期为...