专利摘要显现，本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合办法及键合结构，晶圆级键合办法包含：供给硅衬底，在硅衬底上构成槽结构，且使用槽结构在硅衬底上成长Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料的异质外延层；使用异质外延层制造光电器材台面结构；在光电器材台面结构上构成榜首金属键合结构；供给硅晶圆，在硅晶圆的表面上构成与榜首金属键合结构对应的第二金属键合结构；将构成有光电器材台面结构的硅衬底与硅晶圆对位压合，榜首金属键合结构与第二金属键合结构对位键合。本发明的Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合办法及键合结构，其可以完成Ⅲ‑Ⅴ族半导体资料与硅晶圆的晶圆级键合，进步封装功率。